GaSb and InAs: New materials for metal-semiconductor point-contact diodes
Anno: 2003
Autori: Carelli G., De Michele A., Finotti M., K. Bousbahi, Ioli N., Moretti A.
Affiliazione autori: Dipartimento di Fisica-Università di Pisa e INFM-sezione di Pisa ;
IPCF-CNR Pisa, Dipartimento di Fisica e INFM Pisa
Abstract: Metal-semiconductor point contact diodes have proved to be good detectors and mixers for radiation from the far-infrared to visible. Until now GaAs, InSb and InP are the most studied and used semiconductor materials for these devices. In this work we present the performance in the visible and infrared region for metal-semiconductor point-contact diodes with GaSb or InAs as the semiconductor layers. These two new materials have shown good characteristics.
Giornale/Rivista: INTERNATIONAL JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
Volume: 24 (5) Da Pagina: 799 A: 811
Parole chiavi: semiconductors; detectors; mixers; point-contact diodes; DOI: 10.1023/A:1023317211057Citazioni: 6dati da “WEB OF SCIENCE” (of Thomson Reuters) aggiornati al: 2024-05-12Riferimenti tratti da Isi Web of Knowledge: (solo abbonati) Link per visualizzare la scheda su IsiWeb: Clicca quiLink per visualizzare la citazioni su IsiWeb: Clicca qui